下面是小编为大家整理的微电子封装切筋系统和模具探讨（完整文档）,供大家参考。希望对大家写作有帮助!
微电子封装切筋系统和模具探讨3篇
微电子封装切筋系统和模具探讨篇1
现代微电子封装技术课程复习内容
第一章
1、什么是电子封装
“集成电路 (IC)”是指微小化的或微电子的器件，它将这样的一些元件例如三极管、电阻、介电体、电容等集成为一个电学上的电路，使致具有专门的功能”
“封装” 是指连接集成电路和其他元件到一个系统级的基板上的桥梁或手段，使之形成电子产品”
2、电子封装和IC技术发展的关系
封装是芯片和电子系统之间的桥梁，集成电路封装技术的发展既受微电子技术中芯片设计和制造技术的推动，同时，封装技术的发展又有力地支撑和推动了整个微电子技术的发展
在过去几十年里，为适应集成电路向小型化、高速化、大功率发展的需要，集成电路封装技术得到了不断的提高和改进。朝着小尺寸、多I/O、高密度、高可靠性、高散热能力、自动化组装的方向发展
3、IC芯片发展的特征
每块芯片上的元器件数逐年增加
特征尺寸不断减小
芯片功耗不断增加
门的功耗逐年减少
4、电子封装的发展特征
从插孔式封装到表面贴装
从双列式封装经四面有脚的QFP形式发展到球栅阵列BGA以及多芯片MCM封装
封装的密度和I/O大大增加
封装的尺寸由大尺寸发展到芯片大小的CSP封装
5、微电子封装的作用
信号的输入、输出端向外界的过渡手段
电源的输入、输出端同外界的过渡手段
散热
保护器件不受外界环境的影响
6、微电子封装的分类
一级封装 一级封装是指芯片级封装，即将芯片封装以形成器件，所以又称器件封装
二级封装 二级封装是指将元器件连接在印刷电路板上
三级或更高级封装
7、一般一级封装的互连方式有那些
(a) TAB packaging
(b) Wire bonding connection
(c) Flip-Chip packaging
8、二级封装的互连方式有那些
(a) THT组装
(b) SMT组装
(c) BGA组装
(d) CSP 组装
9、简述IC芯片的制造过程
单晶硅碇的形成(单晶成长)
硅片加工过程
芯片制造：增层，光刻和刻蚀，掺杂，热处理
硅片制备
测试/拣选
封装
第二章
1、简述引线键合的工艺过程
引线键合技术（WB） 是将半导体芯片焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区用金属丝连接起来的工艺技术
在较低的温度下，通过施加压力，使金属丝发生塑性变形，来完成固相结合。
2、引线键合线的的材料选择
一般为Al或Au
3、引线键合的互连方法
热压焊、超声焊、金丝球焊
4、热压焊和超声焊的连接机理
热压焊 Thermocompression Bonding (TC)
通过加热、加压，使待焊金属发生塑性变形，同时破坏连接界面上的氧化层，使金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生引力，达到“键合”的目的。此外，两金属界面不平整时，可使上下金属相互镶嵌
超声焊Ultrasonics Bonding (US)
1）通过把超声波发生器产生的振动传递给劈刀，使劈刀产生相应的振动，同时，在劈刀上施加一定的压力
2）在作用在劈刀上的两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊焊区的金属化层（如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性变形
3）这种变形也破坏了Al层界面的氧化膜，使两种纯净的金属面紧密接触，到达原子间的“键合”，从而形成牢固的连接
5、热压焊、超声焊和超声热压焊的优缺点比较
热压焊特点：
热压焊焊头有锲形、针形和锥形几种
焊接压力：0.5－1.5N/点
芯片和焊头均要加热（焊头：150 ℃ 左右、芯片：200℃以上）
缺点：
加热温度较高，金属氧化，如焊接时间长，易损伤芯片
界面形成金属间化合物（Au-Al），接触电阻增加（紫斑、白斑）
焊点键合力小（＜0.05N/点）
超声焊特点：
和热压焊相比，去除氧化膜充分，焊点强度高（直径为40um的Al丝的焊点强度0.1N/点）
芯片不需加热，在常温下进行，对芯片无损伤
输入超声能量调节方便，可焊接不同规格的Al丝和不同宽度的Al带
Al-Al超声键合界面不产生金属间化合物，使用寿命长
热压超声键合（金丝球焊）Thermosonic Bonding (TC/US)
加压、加热的同时，在焊头上加超声振动而形成的焊接方法
特点：
焊点牢固（25um的Au丝的焊接强度一般为0.07－0.09N/点）
压点面积大（为金丝直径的2.5－3倍）
焊接速度快（14点/s）
加热温度低（一般为100℃左右）
焊接界面会形成Au-Al金属间化合物
6、影响引线键合质量的因素
1、互连材料冶金兼容性 2、表面状态
7、引线键合焊点强度的检验方法
1）试验方法
球剪切试验和线拉试验。球剪切试验总是破坏性的，线拉试验可是破坏性的，也可是非破坏性的
2）失效形式
8、引线键合失效的模式及产生原因
焊盘出坑其产生原因如下:
(1) 超声波能量过高导致Si 晶格层错; (2) 楔键合时键合力过高或过低:
(3) 键合工具对基板的冲击速度过大,一般不会导致Si 器件出坑,但会导致、
GaAs 器件出坑;
(4) 球键合时焊球太小致使坚硬的键合工具接触到了焊盘金属化层;
(5) 焊盘厚度太薄。1～3 μm 厚的焊盘损伤比较小,但0. 6μm 以下厚度的焊盘可能存
在问题;
(6) 焊盘金属和引线金属的硬度匹配时键合质量最好,也可以最小化出坑现象; (7)Al 丝超声波键合时金属丝太硬可能导致Si片出坑。
尾丝不一致可能的产生原因如下: (1) 引线表面肮脏;
(2) 金属丝传送角度不对; (3) 楔通孔中部分堵塞;
(4) 用于夹断引线的工具肮脏; (5) 夹具间隙不正确;
(6) 夹具所施加的压力不对; (7) 金属丝拉伸错误。
键合剥离
引线弯曲疲劳
键合点和焊盘腐蚀
引线框架腐蚀
金属迁移
振动疲劳
第三章
1、简述载带自动焊的工艺过程
TAB技术首先在高聚物上做好元件引脚的引线框架，然后将芯片按其键合区对应放在上面，然后通过热电极一次将所有的引线进行键合
TAB工艺主要是先在芯片上形成凸点，将芯片上的凸点同载带上的焊点通过引线压焊机自动的键合在一起
2、载带自动焊的优缺点有那些
优点：封装结构减小(薄、短、小)。封装高度不足1mm，线宽通常为50um，可以做到20－30um，节距通常为80um或更小，因此，可容纳更多的I/O引脚数。如10x10mm的芯片，WB: 300个，TAB: 500个
由于引线较短，电阻、电容和电感比WB小得多，因此，具有更优良的高速、高频电性能
TAB采用Cu箔引线，导热和导电性能好，焊点强度高(是WB的3－10倍)，提高芯片互连可靠性
使用标准化的卷轴长带（100m），对芯片实行多点一次焊接，生产效率高，生产成本低
3、简述载带的制造工艺过程
TAB单层带的制作
TAB双层带的制作
4、简述用于载带自动焊芯片的凸点制造技术
1、LSI芯片2、多层金属化(UBM)3、涂光刻胶4、电镀凸点5、去除光刻胶6、腐蚀多层金属
5、载带自动焊的特点
和WB相同，也可以采用热压焊、热压超声焊和超声焊
由于电镀层的高度不一，TAB可靠性比WB低
容易引起芯片的缩孔和未焊上
封装密度难以提高，但生产效率较高（gang bonding )
不同尺寸的芯片需要不同的焊接头，灵活性较差
6、载带自动焊采用的互连方法有那些
芯片凸点和内引线的连接(Inner Lead Bonding, ILB)
TAB外引线的焊接 ( Outer Lead Bonding, OLB )
第四章
1、什么是倒装焊
通过芯片上的凸点（铅锡、Au、Ni或者导电聚合物）直接将芯片面朝下用焊料、金属凸点或者导电胶互连到基板(载体/电路板)上的一种工艺技术，“倒装”是相对于引线键合而言
2、倒装焊技术的特点
优点 互连线非常短（互连线的电阻、电容和电感比WB和TAB小得多），从而更适于高频、高速电子产品的应用
安装芯片互连占的基板面积小，因此安装密度高
芯片焊区可面阵布局，更适应高I/O数的LSI和VLSI
由于芯片安装和互连是同时完成，大大简化安装互连工艺
缺点 焊点检查困难（只能使用红外线和X光检查）
芯片焊区要制作凸点，增加了芯片的制作工艺流程和成本
各种材料的热失配产生的应力对可靠性的影响
3、倒装焊下金属层的组成
各种IC芯片的焊区均为Al，需在Al焊区和它的周围的钝化层先形成一层粘附性好的粘附金属，一般为数十nm的Cr、Ti、Ni层；
接着在粘附金属层上形成一层几十－几百nm的阻挡金属层，如Pt、W、Pd、Mo、Ni等；
最上层是导电的凸点金属，如Au、Cu、Ni、Pb-Sn合金等
4、倒装焊凸点的制作方法有那些
1、蒸发凸点制作法
1）早期制作凸点的方法，与IC芯片工艺兼容，但溅射时间长，设备投入高，难实现大批量生产
2）因使用掩膜板，只适应制作凸点直径较大、I/O数较少及凸点不高的凸点
2、电镀凸点制作法
1）溅射多层金属膜；
2）制作掩膜；
3）电镀Cu；
4）电镀Pb-Sn钎料；
5）去除掩膜；
6）回流钎料
3、模板印刷制作凸点
1）化学镀Ni/Au；
2）模板印刷焊膏；
3）脱膜；
4）回流
4、打球（钉头）凸点制作法
1）在芯片焊区用Bonding机打钉头；
2）用冲头打平端头
5、导电胶凸点的制作
在沉积了多层金属的芯片焊区，采用模板印刷的方法，在焊盘处形成导电胶凸点
5、凸点的倒装焊技术有那些
1、热压FCB技术2、回流FCB技术3、环氧树脂光固化FCB技术4、各向异性导电胶FCB技术5、各种倒装焊工艺方法的比较
6、回流焊时的凸点材料是什么、下金属层怎样选取
凸点材料分类
Au凸点、Ni-Au凸点、Au-Sn凸点、Cu凸点、Pb-Sn凸点和聚合物凸点，最主要的是Au凸点和Pb-Sn凸点
各种IC芯片的焊区均为Al，需在Al焊区和它的周围的钝化层先形成一层粘附性好的粘附金属，一般为数十nm的Cr、Ti、Ni层；
接着在粘附金属层上形成一层几十－几百nm的阻挡金属层，如Pt、W、Pd、Mo、Ni等；
最上层是导电的凸点金属，如Au、Cu、Ni、Pb-Sn合金等
7、倒装焊的优点是什么
互连线非常短（互连线的电阻、电容和电感比WB和TAB小得多），从而更适于高频、高速电子产品的应用
安装芯片互连占的基板面积小，因此安装密度高
芯片焊区可面阵布局，更适应高I/O数的LSI和VLSI
由于芯片安装和互连是同时完成，大大简化安装互连工艺
第五章
1、了解插装元器件的封装技术（TO、SIP、DIP、PGA）
TO型金属封装技术
这是最早广为使用的全密封TO型晶体管封装结构。其封装工艺是：先将芯片采用环氧树脂粘接固定在外壳底座的中心，然后用WB（Au或Al线）把芯片和接线柱连接，最后电阻焊外壳
SIP和DIP的封装技术
框架引线和芯片同样采用WB连接，同样可采用塑料封装和陶瓷封装，但塑封时由于封装面积较大，要求更高，以减小热失配（CTE）引起的应力
PGA的封装技术
PGA是为了解决LSI芯片I/O引脚数不断增加、封装面积不断减少而出现的多层陶瓷封装结构
2、了解表面组装元器件的封装技术（SOP、PQFP、PLCC、LCCC）
IC小外形封装（SOP）技术
结构特点：
SOP实际上是DIP的变形，即把DIP的直插式引脚向外弯曲90，只是外形尺寸和重量比DIP小很多
引脚形式有外弯（L型）和内弯（J型），J型占用PCB板面积比L型小，又称为SOJ
L型引脚易焊接，焊点容易检查，J型封装密度高，但焊点不易检查
SOP引脚材料除可以选用可伐合金和Fe-Ni合金外，还可选用Cu合金，它具有柔性，可吸收热应力，而且导电性能好
SOP和SOJ几乎都是采用模塑封装
塑封QFP（PQFP）：
是产量最大、应用面最广、价格最低的SMD封装产品，占QFP的90%以上
塑料有引脚片式载体（PLCC）
PLCC是美国70s年代开发的针对LSI芯片的封装结构，四边引脚呈J型，引脚为Cu合金，不但导热、导电好，还有一定的弹性，可缓解CTE失配引起的热应力，同时引脚内弯，PCB板组装密度高
封装工艺：芯片用Ag浆粘接在镀Ag的Cu合金基板上，用WB连接芯片和引脚（金丝），引脚外部可浸焊或电镀钎料，然后塑封
陶瓷无引脚片式载体（LCCC）
LCCC是美国70s年代研制的，这种LCCC的特点是无引脚，在陶瓷封装体四周的引脚处有镀Au的凹槽，因此它可以直接安装在已焊在PCB板的插槽上，其封装形式也可以有塑封、陶瓷封和金属封装，芯片和引脚的连接采用WB
3、简述BGA封装技术
BGA（Ball Grid ）即球栅阵列封装。它是在基板的下面按阵列方式引出球形引脚，在基板上面装配LSI或VLSI芯片，是芯片用的一种表面组装型封装，和QFP等周边引脚封装比较，BGA封装的封装密度大大提高
4、BGA封装技术的特点
焊点失效率低（比窄节距的QFP焊点失效率降低两个数量级）
兼容现有的SMT工艺设备
提高了封装密度（器件引脚数和本体尺寸的比率）
明显改善芯片和基板的共面性
引脚牢固，不易变形
改善芯片的电性能（信号路径短，减小引脚电容和电感）
焊球熔化时的表面张力具有“自对准”效应，减少安装、回流焊时的失效率
有利于散热
5、了解BGA封装技术有那些封装结构
PBGA封装结构 CBGA封装结构 CBGA封装结构 TBGA封装结构
6、CSP封装的基本定义
封装面积小于芯片面积1.5倍的封装
芯片封装面积小于或等于芯片面积的1.2倍
第六章
1、多芯片封装的基本概念
多芯片组件(MCM) 或多芯片封装（MCP）的概念：指一块封装中包含两个或两个以上芯片，通过基板互连起来，共同构成整个电路系统的封装形式
2、多芯片封装技术的特点
为组件中的各个芯片提供信号互连、I/O管理、热控制、机械支撑等等
可用于IC、IC子系统和其它系统单元的封装
MCM是80s出现的技术，是传统混装技术（HIC）的延伸
MCP和HIC的区别在于封装密度。一般认为：含有多个芯片的封装，只有当有源半导体器件芯片占到基板或封装区域面积的50%以上时，才能称为MCM
IBM大型主机（circa 1980s）采用的MCM，集成了100块芯片
Intel PC CPU（在板上的小芯片）
3、多芯片封装技术的优点
封装效率更高（芯片面积与封装面积之比）
芯片间距减小，提高电性能
芯片和电路板之间的互连数减少，提高可靠性
省去了每个芯片的单独封装，并且减少了基板面积，降低生产成本
4、多芯片封装技术的互连方式及优缺点
WB、TAB和Flip-Chip
具有如下的特点：
1)对于WB和TAB，芯片面朝上，芯片背面直接键合在基板上，热量从芯片背面直接散到基板中
2)WB和TAB由于是基板散热，因此，基板和载体的热导率就非常重要
3) 在Flip-Chip中，芯片面朝下，通过焊球与基板互连，这时芯片通过基板的散热并不是主要的散热机制，而是通过背面的热沉（Heat Sink）散热
4) Flip-Chip结构的散热效率可高达10－100W/ mm2，几乎所有的超级计算机都采用不同形式的倒装互连技术
5、多芯片封装的基板选取有那些，各有什么特点
1、叠层（有机）基板多芯片组件（Multichip module with Laminated Substrate, MCM-L）
1）其工艺技术比常规的PCB先进，不仅特征尺寸更小，而且可以加工盲孔、埋孔等过孔（盲孔：只半通到线路板的过孔；
埋孔：线路板内部层间的过孔）
2）采用MCM-L技术，即可以将IC互连，构成一个独立运作的MCM，也可以构建包含各种元器件（有源、无源）的复杂电路板
3）组装完成后，MCM-L要用有机涂层将芯片和键合引线保护起来
4）MCM-L基板可分为：刚性、柔性和刚柔性基板
2、陶瓷基板多芯片组件（Multichip module with Ceramic Substrate，MCM-C ）
3、沉积薄膜互连基板多芯片组件( Multichip module with thin film deposited on ceramic substrate，MCM-D )
第七章
1、什么是薄膜技术、薄膜的制备方法有那些
薄膜－将真空法（干式）和溶液法（湿式）沉积得到的膜层称为薄膜，厚度一般为几个um
厚膜－由浆料印刷法形成的膜层称为厚膜，厚度一般为20um左右
2、薄膜的技术特征是什么
采用IC晶圆制造技术和方法
这个工艺适应大批量的生产
高效的制造工艺满足互连封装和组装（Levels 1.0 and 2.0）
3、了解厚膜技术的制备方法
加工过程如下：
1）基板的选择 其基板材料主要有：Al2O3、BeO、AlN。在
考虑IC需高的导热性能，可选择BeO、AlN。AlN的热导率
低于BeO，但热膨胀系数和Si接近
2）制备导电层 第一导电层 通过“印刷、干燥、烧成”工艺
制得。干燥温度：120-150C；
烧成温度：800-900C
3）制备介电层 一般采用两次“印刷、干燥、烧成”工艺。
一方面可得更厚的介电层，另一方面，防止底层出现针
孔，引起短路
4）填充通孔 如果在导电层间有通孔连接，则要填充通
孔，使通孔金属化，然后干燥、烧成
5）如果是多层基板，顶层需要再沉积介电层或玻璃层，但
I/O的端口要预留
4、薄膜技术和厚膜技术的优缺点
薄膜技术的优势
１）高的分辨率，因此高的布线密度
２）高性能材料的可用性
３）高导电材料布线
４）低介电常数介质材料
５）金属化层能裁剪来适应WB、Flip-Chip和钎焊
６）低的加工温度（低于300°C），因此适应有机和无机的基板
厚膜的丝网印刷法的优点：
1）通过丝网印刷，可直接成形电路图形
2）导电层、电阻层、绝缘层、介质层及其他功能层均可印刷成膜
3）设备简单，投资少
5、薄膜技术线路图形的形成方法
1）填平法2）蚀刻法3）掩膜法
6、了解厚膜技术的制备方法
7、厚膜材料的分类
8、了解先进的厚膜制造技术
为了在厚膜工艺中得到更加精细的图形，近期不仅在丝网印刷，而且在超细质点印刷膏方面取得了进展，同时采用薄膜图形制备技术（光刻），可以得到更加精细的图形（互连线、通孔）
第八章
1、什么是共烧陶瓷基板制造方法
共烧陶瓷的制造工艺是各单层单独制造，然后叠层后进行共烧。每层的制备非常灵活，如可加工一个空间安装有源器件，也可以加工出密封环（对于要保护的器件）；
还可以嵌入无源器件和下一级封装的引线
每一层的布线图形和通孔填充主要是在生瓷片上，通过丝网印刷完成
2、高温共烧和低温共烧的区别
HTCC技术起源于1970s，当时用于单芯片的陶瓷封装（DIP、PGA），生瓷片一般为Al2O3（或BeO、AlN）
烧结温度：1440C to 1880C；
由于烧结温度高，金属布线只能使用难熔金属（W、Mo、Pd、Pt），并且为防止氧化，要在保护气氛下烧结
但是，难熔金属导电性能和互连性能较差， 因此，顶层的布线要镀Ni/Au
LTCC工艺是在1980s后期发展起来，它提供了许多和HTCC工艺相同的特性，但它的显著特征就是烧结温度较低（850C to 1000C）
由于烧结温度的降低，可采用高导电的金属布线（Cu、Ag、Au）
3、低温共烧和高温共烧的基板布线图形的区别
4、了解常规PCB的制造技术
5、PCB的分类
通常，按照结构和制造工艺，PWB可分为三类：
1）传统的PWB：单层、双层或多层结构，采用机械钻孔、电镀工艺来实现层间的连接
2）先进的PWB：特指多层板，采用机械钻孔或冲孔加工盲孔、埋孔和通孔，孔的直径>150μm (6 mils)
3）高密度（HDI）的PWB：多层结构，拥有盲孔、埋孔和通孔，孔径
微电子封装切筋系统和模具探讨篇2
微电子封装答案
微电子封装
第一章 绪论
1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页）
答：特点：
（1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。
（2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。
（3）从陶瓷封装向塑料封装发展。
（4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。
发展趋势：
（1） 微电子封装具有的I/O引脚数将更多。
（2） 微电子封装应具有更高的电性能和热性能。
（3） 微电子封装将更轻、更薄、更小。
（4） 微电子封装将更便于安装、使用和返修。
（5） 微电子封装的可靠性会更高。
（6） 微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。
2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。（P15～18页） 答：（1）一级微电子封装技术
把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。
（2）二级微电子封装技术
这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。
（3）三级微电子封装技术
由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。
3、微电子封装有哪些功能？（P19页）
答：1、电源分配 2、信号分配 3、 散热通道 4、机械支撑 5、环境保护
4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。（P12页）
答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。
（2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu
(3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。）
(4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子）
5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能 。
答：系统组成部分：
1 机械传动系统
2 运动控制系统
3 图像识别（PR）系统
4 气动/真空系统
5 温控系统
6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？ 答：
名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶
第二章 芯片互连技术
1、芯片互连的方法主要分为哪几类？各有什么特点？（P13页）
答：（1）引线键合（WB） 特点：焊接灵活方便，焊点强度高，通常能满足70um以上芯片
悍区尺寸和节距的焊接需要。
（2）载带自动焊（TAB） 特点：综合性能比WB优越
（3）倒装焊（FCB） 特点：芯片面朝下，将芯片焊区与基板悍区直接相连。
2、WB的分类及特点如何？（P23页）
答：（1）热压焊 特点：易氧化 易压伤 键合力小
（2）超声焊(超声键合) 特点：与热压焊相比，可提高焊接质量，接头强度也较高；
无加热，所以对芯片无影响；
可根据不同需求调节能量，焊不同粗细的Al丝；
不产生化合物。
（3）金丝球焊 特点：最具代表性的引线键合焊接技术。压点面积大，又无方向性,可实现微机控制下的高速自动化焊接,往往带超声功能,具有超声焊优点。
3、说明金丝球焊的主要工艺过程及其工作原理。（P24页）
答：工艺过程：
(1)打火烧球（EFO负电子烧球 ）
(2)、一焊（热压超声球焊）
(3)拉弧（焊头XYZ协调动作）
(4)二焊（热压超声焊）
(5)留尾丝
(6)回打火位、送丝等，开始下一个循环
工作原理：将键合引线垂直插入毛细管劈刀的工具中，引线在电火花作用下受热成液态，由于表面张力作用而形成球状,在摄像和精密控制下,劈刀下降使球接触晶片键合区,对球加压,使球和焊盘金属形成冶金结合完成第一点焊接过程,然后劈刀提起,沿着预定的轨道移动，称作弧形走线,到达第二个键合点时，利用压力和超声能量形成月牙式第二个焊点,劈刀垂直运动截断丝尾部。这样完成两次焊接和一个弧线循环。
4、说明铝丝焊（超声焊）的主要工艺过程及其工作原理。（P24页）
答：工艺过程：（1）楔运动到待键合位置
（2）施加超声波，键合第一个焊点
（3）键合第一个焊点后，楔头抬起
（4）准备键合第二个焊点
（5）键合第二个焊点
（6）去除尾丝
工作原理：在常温下，利用超声波（US）发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动，经变幅杆传给劈刀；
同时在劈刀上施加一定压力，劈刀在两种力作用下带动Al丝在被焊焊区的金属化层（如Al膜）上迅速摩擦，使Al和Al膜表面产生塑性变形，同时破坏氧化层，使Al丝和Al膜达到原子间的“键合”，形成牢固焊接。
5、TAB技术的关键材料包括哪三部分材料？（P29页）
答：(1)基带材料 (2)TAB的金属材料 (3)芯片凸点的金属材料
6、TAB的关键技术包括哪三部分技术？（P30页）
答：(1)芯片凸点的制作技术；
(2)TAB载带的制作技术；
(3)载带引线与芯片凸点的内引线焊接技术和载带外引线的焊接技术。
7、ILB或OLB的方法主要有哪两种？
答：热压焊法和热压再流焊法
8、说明倒装焊的特点和优点（P44页）
答：特点：FCB是芯片与基板直接安装互连的一种方法，芯片面朝下。
优点：1）芯片面朝下，连线短，互连产生的杂散电容、互连电阻和电感均比WB和TAB小得多，因此适于高频、高速的电子产品应用。
2）FCB芯片安装互连占的基板面积小，因而芯片安装密度高。FCB的芯片焊区可面阵布 局,更适于高I/O数的芯片使用。
3）芯片的安装、互连同时完成，简化了安装互连工艺,快速、省时，适于使用先进的SMT进行工业化大批量生产。
9、芯片凸点的多层金属化系统有哪三层，各层的主要作用是什么？（P46页）
答：（1）粘附层金属: 粘附作用；
数十纳米厚的Cr、Ti、Ni层。
（2）阻挡层金属: 防止凸点金属越过粘附层与Al焊区形成脆性中间金属化合物;数十至数百纳米厚的Pt、W、Pd、Mo、Cu、Ni层。
（3）凸点金属: 导电；
Au、Cu、Ni、Pb-Sn、In等。
10、芯片凸点的制作方法主要有哪些？（P46页）
答：1. 蒸发/溅射凸点制作法
2. 电镀凸点制作法
3. 化学镀凸点制作法
4. 打球（钉头）凸点制作法
5. 置球及模板印刷制作焊料凸点的工艺方法
6. 放球法制作焊料凸点的工艺方法
7. 激光凸点制作法
8. 移置凸点制作法
9. 柔性凸点制作法
10. 叠层凸点制作法
11. 喷射Pb-Sn焊料凸点制作法
11、说明各向异性导电胶的焊区互连原理，并画图示意。
答：玻璃上芯片（COG）技术的原理为：先在基板上涂覆各向异性导电胶薄膜（ACAF），将带有凸点的IC芯片与基板上的金属焊区对位后，在芯片上加压并进行ACA固化，导电粒子挤压在凸点与焊区之间，上下接触而导电。原理如图所示。
12、解释C4的含义及主要优点。（P61页）
答：俗称再流焊接发，专对各类Pn-Sn焊料凸点进行再流焊接。
优点：（1）具有一般凸点芯片FCB的优点，另外它的凸点还可整个芯片面阵分布，再流时能够弥补基板的凹凸不平或扭曲等。因此，不但可与光滑平整的陶瓷/Si基板金属焊区互连，还能与PWB上的金属焊区互连。
（2）C4的芯片凸点使用高熔点的焊料，而PWB上的焊区使用低熔点的常规焊料，倒装焊再流时，C4凸点不变形，只有低熔点的焊料熔化，这就可以弥补PWB基板的缺陷产生的焊接不均匀问题。
（3）可使光电器件封装中的波导和光纤连接自对准精度达到预定要求。
第三章 插装元器件的封装技术
1、插装元器件按封装材料分为哪些类？（P80页）
答：（1）金属封装 （2）陶瓷封装 （3）塑料封装
2、插装元器件按外形结构分为哪些类？（P80页）
答：圆柱形外壳封装（TO）、矩形单列直插式封装（SIP）、双列直插式封装（DIP）、针栅阵列封装（PGA）
3、画框图表示PDIP的制造和封装工艺流程（P85页）
装架——引线焊接——塑封——开模——去毛刺——切筋——打弯——成形——固化——检验——分色包装
4、说明陶瓷熔封CDIP的主要工艺过程（P84页）
5、比较PGA和BGA的关键不同点（P86页）
答：PGA是面阵引脚结构，而BGA是焊球阵列结构
6、金属外壳封装的常用封帽工艺有哪两种？（P92页）
答：熔焊封接法、焊料封接法
7、画框图表示LED的制造和封装工艺流程，并说明所采用的主要设备
答：芯片检验——扩片——点胶——备胶——手工刺片——自动焊装——烧结——压焊——点胶封装——灌胶封装——压膜封装——固化——后固化——切筋和划片——测试——包装
第四章 表面安装元器件的封装技术
1、与通孔安装（THT）元器件相比，表面安装元器件（SMD）有何优缺点？（P97页） 答：(1)SMD体积小、重量轻,所占基板面积小,因而组装密度高
(2)与DIP相比，具有优异的电性能
(3)适合自动化生产
(4)降低生产成本
(5)能提高可靠性
(6)更有利于环境保护
2、比较SOT、SOP、QFP、PLCC的引脚布局的差别？（P99页）
答：（1） (几个引脚)
芝麻管形、圆柱形、SOT形：主要封装二极管、三极管，有2 ∽4个引脚；
（2） (几十个引脚，两边引脚 )
SOP（SOJ）形：引脚两边引出,封装数十个I/O引脚的中、小规模IC及少数LSI芯片，节距多为1.27mm和0.65mm等；
（3） (几百个引脚，四边引脚 )
PQFP形：四边引脚，主要封装I/O数为40∽304的LSI和VLSI，节距1.27、0.8、0.65、0.5、0.4、0.3mm；
PLCC形：为四边引脚，塑封，J引脚，封装I/O数为16∽124的IC，节距：1.27mm；
LCCC形：为四边引脚，陶瓷封，无引脚，封装I/O数为16∽256的IC，节距：1.0、0.8、0.65mm；
（4） (几千个引脚，底面引脚 )
BGA/CSP：基底底面面阵凸点引脚，封装数百乃至数千I/O引脚数的IC，节距1.27、1.0、0.8、0.5mm；
（5） 裸芯片直接芯片安装（DCA）：如COB、TAB、FCB等，节距可小于0.2mm。
3、和表面安装元器件相比，为什么塑封插装件的封装过程没有开裂问题？（P116页） 答：塑料封装尽管存在普遍的吸潮问题，但并不会引起塑封外壳的开裂问题，因为湿汽压很低，产生的机械应力不足以破坏外壳。
对于表面安装器件(SMD)则不然,由于SMD的焊接无论是再流焊(大都采用)还是波峰焊,所有的SMD整体都要经历215∽240℃的高温过程。若这时塑封壳体充满湿气,焊接时,水汽就会急剧膨胀，聚集形成较大的水汽压,从而可能出现塑封开裂现象。
4、塑料封装吸潮的危害及解决办法？（P115页）
答：吸潮实效；
解决方法：
1. 从封装结构的改进上增强抗开裂的能力
2. 对塑封器件进行适宜的烘烤是防止焊接开裂
3. 合适的包装和良好的贮存条件是控制塑封器件吸潮的必要手段
第五章 BGA和CSP的封装技术
1、什么是BGA？BGA有何特点？（P121页）
答：BGA(Ball Grid )即“焊球阵列”。它是在基板的下面按阵列方式引出球形引脚,在基板上面装配LSI芯片(有的BGA引脚端与芯片在基板同一面),是LSI芯片用的一种表面安装型封装。
特点：(1)失效少 (2)节距大 (3)封装密 (4)共面性好 (5)引脚牢 (6)电性好 (7)自对准
(8)散热好 (9)BGA也适合MCM的封装,有利于实现MCM的高密度、高性能
2、按照基板可将BGA分为哪几类？其中裸芯片与基板之间各采用什么主要的微互连方法？（P121页）
答：1） PBGA(塑封BGA) 方法：焊球做在PWB基板上，在芯片粘接和WB后模塑。采用的焊球材料为共晶或准共晶Pb-Sn合金。焊球的封装体的连接不需要另外的焊料。
2） CBGA(陶瓷BGA) 方法：采用双焊料结构,用10%Sn-90%Pb高温焊料制作芯片上的焊球,用低熔点共晶焊料63%Sn-37%Pb制作封装体的焊球。此方法也称为焊球连接(SBC)工艺。
3） CCGA(陶瓷焊柱阵列) 方法：CCGA是CBGA的扩展。它采用10%Sn-90%Pb焊柱代替焊球。焊柱较之焊球可降低封装部件和PWB连接时的应力。
4） TBGA(载带BGA) 方法：TBGA封装是载带自动焊接技术的延伸，利用TAB实现芯片的连接。ILB与TAB一样，OLB改为BGA。
5） FCBGA(倒装芯片BGA) 方法：FCBGA通过FC实现芯片与BGA基板的连接。
6） EBGA(带散热器BGA) 方法：EBGA与PBGA相比较，PBGA一般是芯片正装，而EBGA是芯片倒装，芯片背面连接散热器，因此耗散功率大。采用多层封装基板、三维立体布线、布线短，电性能好。
7） MBGA(金属BGA) 特点：多芯片、层叠式、封装体积小
3、CSP有何特点？（P131页）
答：体积小、可容纳的引脚多、电性能良好、散热性能优良
4、BGA、CSP与PWB进行焊球连接的主要缺陷有哪些？（P146页）
答：桥连、连接不充分、空洞、断开、浸润性差、形成焊料小球、误对准
实验部分
了解金丝球焊机的工作原理、组成部分、主要操作步骤
理解名词：烧球、超声焊接，一焊和二焊、一线和二线、焊接准备位、焊接位、线夹、劈刀、焊接压力、超声时间和功率、换能器、送丝、过片。
1、固晶：将芯片固定在外壳底座中心，常用Au-Sb合金（对PNP管）共熔或者导电胶粘接固化法使晶体管的接地极与底座间形成良好的欧姆接触；
对IC芯片，还可以采用环氧树脂粘接固化法；
（引脚与金属壳的隔离：玻璃）
2、焊线：在芯片的焊区与接线柱间用热压焊机或超声焊机用Au丝或Al丝连接起来；
接着将焊好内引线的底座移至干燥箱中操作，并通以惰性气体或N2保护芯片；
3、封装：最后将管帽套在底座周围的凸缘上，利用电阻熔焊法或环形平行缝焊法将管帽与底座边缘焊牢，达到密封要求。
4塑封：是由涂有热熔胶的聚脂膜, 通过过胶机的加工将被封物品粘合在塑料膜之内
5冲筋：建筑装饰时，墙面抹灰面积大，一般在抹灰前用砂浆在墙上按一定间距做出小灰饼（又称打点）然后按小灰饼继续用砂浆做出一条或几条灰筋（一般间距1m~2m），以控制抹灰厚度及平整度。此过程称为冲筋。
6点胶：是把电子胶水、油或者其他液体涂抹、灌封、点滴到产品上，让产品起到黏贴、灌封、绝缘、固定、表面光滑等作用
7烧球：
8超声焊接：是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。
9
微电子封装切筋系统和模具探讨篇3
LED 应用发展现状和发展趋势
摘要：近年来，LED技术与产业发展迅速,成为半导体制造行业的最大亮点。本文就LED的特点、应用，以及发展现状和未来发展趋势进行简要介绍。
关键词：LED；
LED产业；
应用；
现状；
前景
LED application development present situation and development trend
Abstract: In recent years, LED technology and industry is developing rapidly, and become a highlight of the semiconductor manufacturing industry. In this paper, the characters of leds, the application, and development present situation and future development trends are introduced briefly.
Key words: LED；
The LED industry；
application；
prospects
引言
近年来白光LED技术和市场都呈加速发展之势,随着LED光效的提高、成本的降低,在不远的将来, LED必将取代传统的白炽灯、荧光灯和卤素灯成为照明的新型光源,并且随着其应用领域的扩大, LED市场的竞争也必将更加激烈。本文就LED的特点、应用，以及发展现状和未来发展趋势进行简要介绍。
1．LED介绍
发光二极管LED(light emitting diode) 是一种能够将电能转化为光能的固态的半导体器件，具有体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、热量低、环保、耐用等优良的特点。第一枚LED于20世纪60年代初期诞生于美国，颜色为红色。随着半导体材料、工艺、制造、封装等一系列技术的发展，作为第四代光源的LED已从光色、功率及亮度方面有了开创性的进展。目前LED己有红、橙、黄、绿、蓝、紫、白等各种光色，类型不仅有高亮度、低功率、中功率的，还再向高功率型转变。单个LED芯片功率也越来越丰富，从0.03W至1W都渐渐俱全。相较其他照明方式，发光效率提高了很多，白炽灯、卤钨灯可见光效率为12一24 lm/W，荧光灯可见光效率为30一70 lm/W，钠灯可见光效率为90一140 lm/W,至2012为止,LED的发光效率从0.l lm/W已发展到208 lm/W[1]。
2．LED的产业链
LED产业链主要包括4个部分：LED外延片、LED芯片制造、LED器件封装和LED产品应用。一般来说，LED外延片属于LED产业链的上游，芯片属于中游，封装和应用属于下游。上游属于资本、技术密集型的领域，而中游和下游的进入门槛则相对较低。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。当前，能用于商品化的衬底只有蓝宝石和碳化硅，其他诸如GaN、si、ZnO衬底，还处于研发阶段，离产业化仍有一段距离[2]。LED芯片是一种固态的半导体器件，其主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，另一端是N型半导体，这两种半导体连接起来的时候会形成一个PN结。当有电流通过PN结时，电子和空穴复合后有光子产生，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成PN结的材料决定的。LED封装是指发光芯片的封装，与集成电路封装有较大不同，不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光，既有电学参数，又有光学参数的设计及技术要求，且对LED封装材料有特殊要求。LED封装包括引脚式封装、表面贴装封装、功率型封装等多种形式[3]。
3．LED的应用
3.1LED产业是带动相关产业发展的重要引擎
LED产业是目前全球公认和竞相发展的具有广阔市场前景的新兴产业，同时由于应用领域广泛，对平面显示、数字家电、汽车电子、节能环保等高新技术产业具有强大的技术渗透性和产业拉动性，对于提升我国产业自主创新能力和产业竞争力，推进节能减排，打造低碳经济，加快建立现代产业体系和转变经济发展
方式具有十分重要的意义。2012年，我国半导体照明产业整体规模达到了1,920亿元，近5年的增长速度分别为35%（2008年），27%（2009年），45%（2010年），30%（2011年）和23%（2012年），属于高成长性行业，其发展壮大对相关行业的带动作用明显[4]。
3.2LED产业具有广泛的应用和需求增长空间
LED的应用领域非常广，包括通信、消费性电子、汽车、照明、信号灯等。目前，LED以其功耗低、体积小、寿命长的特点，已成为各种电子设备指示灯的首选产品，在景观照明、汽车市场、背光源市场、交通灯市场、户外大屏幕显示等领域应用也非常广泛。在军工领域，由于LED光源具有抗震性、耐候性、密封性好、便于携带等特点，被广泛应用于防爆、雷达、通信、航空航天等特殊领域。此外，LED还可用于玩具、礼品、手电筒、圣诞灯等轻工产品之中。我国作为全球轻工产品的重要生产基地，对LED有着巨大的市场需求（如图1）。
3.3LED产业对于促进技术升级具有重要意义。
LED产业发展涉及的关键技术较多，如LED芯片、衬底材料、封装及其电路驱动、二次光学设计等，涵盖了半导体材料、微电子技术、光电子、电学、热学等诸多领域，代表着当前信息技术最前沿的发展方向之一，特别是光电子技术将会成为支撑未来信息技术的重要领域。LED已成为第三代半导体技术发展的切入点，也是发展光电子产业的突破口。其技术发展对于增强自主创新能力、抢占信息技术战略制高点具有重要战略意义。
4 LED的当前水平及发展趋势。
(1) 发光效率不断提高
从LED技术发展来看，欧美及日系厂商仍是重要竞争者。就技术水平而论，目前以美国Cree公司最为领先。2010年Cree公司的白光LED的实验室光效已提高到208 lm/W，这是目前的最高水平[5]。Cree公司于2009年第三季度开始量产目前业界最高水平(光通量达139 lm、发光效率为132 lm/W)的产品。预期一年内将开始量产161 lm/W的高效能LED。2010年初Cree推出突破性照明级LED,亮度高达1 500 lm,光效75 lm/W,采用了突破性的紧凑型12 mm×13 mm封装设计，是业内最小封装。大小只有与其相当的LED器件的28%。这是已经商业量产的产品[6]。Cree称2010年将继续聚焦于照明和显示屏两大领域，每周将供应数百万颗100 lm/W以上的LED器件。
欧司朗、Lumileds、日亚公司的白光LED光效都经突破140 lm/W，商业量产产品也都在100 lm/W以上。LED的光效已是白炽灯的5倍以上。
首尔半导体的主打产品Acriche是世界上唯一可以在交流电源下无需直流交流转换器就能驱动的半导体光源，比直流LED更加节能和更具成本效益。2010年2月份实现了发光效率达100 lm/W、使用寿命超过35 000 h的Acriche LED， 4月已开始投入量产，同时发光效率超过150 lm/W的LED也已研制成功。将在今年年底之前投入量产[7]。
(2)成本不断下降
成本高是LED推广应用的障碍。产生1000 lm的光通量，白炽灯的成本小于1美元，荧光灯的成本小于2美元。而LED光源产生1000 lm的光能量，使用十颗大功率LED的成本超过了20美元。LED的成本问题是与LED技术层面瓶颈的解决紧密相连的。图1为DOE对白光LED成本的预测。预计到2015年白光LED的成本将可与荧光灯相当[8]。
2009年7月前，LED电灯的市场价格每个不到1万日元(约748元)。但是随着夏普推出了售价4 000日元(约300元)的LED电灯后，东芝照明、欧司朗等大型照明厂商都随之推出了4 000日元价位的LED电灯。这一现象被称为夏普冲击。2009年12月日本Orion Electric与Doshisha共同开发并上市的“Luminou”系列，功耗为616 W、总光通量为420 lm、相当于60 W白炽灯的产品售价2 480日元。功耗为417 W、总光通量为310 lm、相当于40 W白炽灯的产品售价仅1 980日元，大幅实现了低价格化，其技术关键是配备了大量的型LED封装[9]。
综上所述技术发展的趋势为：(1) 高功效技术的研发水平加快，LED器件水平已远远超过了2008年美国能源局与日本JLEDS的预测。(2) 成本急剧下降。技术创新步伐明显加快，推动LED照明实用化进程。
5. LED产业发展现状与趋势
5.1 产业概况
最近两年LED市场呈现出井喷式增长的势头。2009年底LED市场新增7条LED生产线， 2010年和2011年光/LED生产线新增数量分别为5条和6条以上。这些新增计划主要集中在中国大陆和台湾地区，还有一些在日本、印度和俄罗斯。
SEMI对全球范围内的91条LED生产线和89条与光电器件相关的生产线进行调查。结果显示,日本拥有的光电/LED生产线最多。拥有LED生产线的地区集中在中国台湾(占40%)、日本(占23%)和中国(占22%)[10]。
根据LEDinside统计, 2009年全球LED封装厂的产值总合达到8015亿美元,相较2008年增长5%。日本的产值仍以33%居冠,中国台湾厂商以17%排名第二。而韩国则由2008年的9%窜升到2009年的15%,位居全球第三[11]。
日本LED产业结构，除具有完整产业链外，在关键材料的供给上，如外延、荧光粉、封装材料等也都握有重要技术并为其他国家所望其项背。日本LED产业多聚集在高附加值产品上，例如笔记本电脑的LED背光源使用的侧发光LED晶片，对亮度、均匀性、稳定性等都有较高要求,再加上本身专利保护，能使产品维持在较高的单价。
韩国LED产业在上游衬底及荧光粉两项关键材料方面基础较弱，擅长于外延和封装制造。韩国在大尺寸背光领域发展较快,拥有全球最大的面板产能与品牌出海口。主要企业有三星、LG和首尔半导体等。前两者之产能多仅供集团内使用,较具外销规模者仅首尔半导体。
相较于亚洲厂商多注重在量产规模，欧美系LED厂商则在多方面布局，例如技术发展、产品开发或垂直整合等方面。欧美系LED厂商的量产规模不比日本、中国台湾，却掌握部分LED的关键技术，在众多LED专利上都有完整的布局。尤其是几大国际厂商)Osram Philips以及Cree等不但拥有完整的产业供应链，在LED照明产业,更是全球前五之内。
三表3是2009年全球高亮度LED封装厂产值排名[10],资料来源于LED inside。
全球LED最大生产商日本的日亚公司近几年一直是LED封装产值冠军,如表4所示, 2009年仍居全球第1名。它有完整的LED产业链。产量的70%为白光LED。同时,它还是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化厂商。它的荧光粉生产在全球占36%的市场份额。日亚公司新增的LED生产线2012年初将投入使用,届时日亚的LED产量将增加3倍。
引人注目的是三星LED，从2008年的10名以外升到2009年的第4名，成为全球成长最迅速的LED厂商。这主要得益于大尺寸背光源市场。基于国内市场对LED背光模块强劲需求,公司计划增加50台MOCVD设备,预计至2010年底公司的MOCVD设备总量会达到150台[12]。
5.2 产业发展的特点与趋势
(1) 全球产业格局呈垄断局面,企业集中度高，高端产品市场被少数国际公司占据，LED产业已形成以美国、亚洲和欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。
(2) 国际知名厂商间合作步伐加快，以占据有利市场地位。
随着LED产业分工与竞争的加剧,国际大厂间的参股投资、代加工、代理销售、专利交互授权、策略联盟等合作步伐正日益加快。如日本住友电工成为美国Cree在日本的销售总代理、Cree和Osram签署长期供货协议, Nichia引进中国台湾OptpTech的投资等,国际厂商的合作步伐正在加快,形成互惠互利的联盟,共同占据有利市场地位[13]。
(3)新兴市场不断形成,持续推动产业规模增长。
随着LED发光效率与性能的提升与改善, LED已从指示灯、手机背光、交通信号灯等成熟应用领域,逐步向中大尺寸LCD背光、汽车、照明等新兴应用市场渗透应用。
(4)传统照明巨头继续加大产业投资,垂直整合加速形成LED照明体系。
LED国际知名公司的布局仍然朝着一个目标前进,就是从LED晶片、封装,乃至于到应用端做整合,加强LED元件与终端应用产品的整体竞争优势。传统照明巨头Philips, Osram, GE等纷纷看好LED照明发展前景,均已通过外部收购或内部培植组建LED照明业务公司,并已形成LED与照明技术的垂直整合的优势体系。
6. 结束语
LED作为为正处于快速发展阶段的新型技术领域、技术进步及市场拓展令人瞩目。同时我们也应该清醒地意识到目前国内企业大多从事低附加值的封装生产，高附加值的上游环节被国外垄断、下游环节受关键应用技术缺失所制,而LED的发展技术还存在不少难题,如LED的性能与质量还不过关、LED散热问题还需想方设法解决;标准的缺失、价格过高、技术、制度上诸多障碍使得LED应用暂时难以普及。总之,如何充分发挥和利用LED的优势,不断革新技术,重视质量、建立健全评价体系在我们面前的严峻而极富挑战的课题。积极开拓一个全新的LED应用市场,成为摆我们面前的严峻而极富挑战的课题。
参考文献
[1] 张国旗 全球半导体照明产业和技术应用的新蓝图.常州.半导体照明技术与应用创新论坛,2013。
[2] 轶名LED产业发展趋势2013十大猜想，电子工业专用设备。2013,216:66-69
[3] 任元会.LED在室内照明的应用和前景 电气工程应用,2011，2:2-4。
[4] 盛朝迅 我国LED产业发展问题与建议。
[5] KERRY K.Cree breaks 200 lumen per watt efficacy barrier [EB/OL]. (2010-02-04).>